超精密光学加工：加工过程中的面形监控

超精密光学元件（平面、球面、非球面、自由曲面光学镜片）的加工，从研磨、抛光到最终镀膜，面形精度是核心指标。微小的面形误差、局部起伏、边缘塌边都会直接造成光学系统波前畸变，降低成像 / 激光传输质量。传统离线检测方式只能在加工暂停后抽样测量，无法实时反馈加工状态。FIS4 波前传感器可对光学元件加工过程做在线

材料内部晶格分布测量（近红外）：利用近红外波段探测材料内部结构

半导体刻蚀工艺会在晶圆表面形成纳米级沟槽、通孔、光栅等微纳结构，刻蚀深度、侧壁倾角、线宽粗糙度、底部形貌直接决定器件电学性能与良率。传统可见光干涉测量受衍射极限限制，难以精准捕捉极小特征尺寸；FIS4 波前传感器搭配紫外波段光路，利用紫外光更短波长的优势，实现高精度、非接触式微观刻蚀形貌检测，成为半导体刻

高能激光器研发：DUV、EUV激光器系统输出波前质量评估

FIS4（FIS4-UV）基于四波横向剪切干涉原理，采用自研随机编码混合光栅，单光路自干涉、免参考镜，专为 190–400nm DUV 波段设计，可实现纳米级波前相位重建，是高能 DUV/EUV 激光研发阶段光束质量诊断、光学系统像差标定、热畸变监测的核心量测设备，解决传统波前检测设备在紫外波段抗振差、分辨率不足、无法在真实工况测量

半导体晶圆制造：晶圆面形与平整度

FIS4 波前传感器通过非接触全场波前测量，获取半导体晶圆全局面形、翘曲与纳米微平整度数据，用于衬底来料检验、CMP 抛光与薄膜应力监控、光刻焦面补偿，从源头管控晶圆形貌误差，保障光刻图案成像质量，是先进硅基及第三代半导体晶圆制造提升良率、实现工艺闭环的核心光学检测设备。

大动态范围面形测量：动态范围可达200μm，适应多种测量场景

FIS4 波前传感器具备最高 200μm 的大面形测量动态范围，突破传统波前检测设备量程受限的瓶颈，既能测量高精度、微小起伏的理想光学平面 / 球面，也可直接检测大形变、大矢高的样品，例如翘曲晶圆、厚基底光学件、大曲率光学元件。一套设备覆盖从纳米级面形误差到百微米级整体形变的检测需求，是宽量程面形检测系统的核心探

微纳轮廓测量：微小结构的轮廓形貌测量

FIS4 波前传感器是非接触式微纳轮廓形貌测量系统的核心探测单元，依托波前传感原理，捕捉微纳结构表面反射光的波前畸变，通过波前重建算法反演出样品三维轮廓。无需探针触碰样品，可对半导体刻蚀结构、MEMS 器件、微光学阵列等微小结构做高精度形貌、台阶高度、侧壁轮廓、表面粗糙度定量检测，是微纳制造工艺监控与成品验证

面形测量：检测光学平面和球面的面形精度

FIS4 波前传感器是高精度波前探测核心单元，可配合干涉系统完成大口径精密平面、球面光学元件的面形误差检测，把光学表面微小的面形起伏转化为可量化的波前数据，是光学元件出厂检验、抛光工艺调试、装调验证的关键测量器件。

多波段合束器件检测：检测不同波段合束后的波前质量

多波段合束（RGB 三色合束、多激光合束等）是将不同波长光束通过合束棱镜、滤光片、分光元件叠加为一束共轴输出光束。合束系统最终输出的总波前畸变，不是单个通道波前的简单叠加；不同波段元件镀膜应力、材料色散、棱镜面形误差带来的像差，会随波长不一样产生差异化畸变。FIS4 四波横向剪切干涉波前传感器，可直接对合束后

光学系统与元件检测

FIS4 检测透射波前，本质是直接量化光穿过元件之后的相位畸变，完整表征光学元器件真实工作性能；不仅用于产品合格判定，还能反向指导抛光、镀膜、装调工艺优化，把光学质量从 “表面指标管控” 升级到 “实际光路性能管控”。